Numer produktu producenta:
UPA1912TE(0)-T1-AT
Product Overview
Producent:
Renesas Electronics Corporation
Numer części:
UPA1912TE(0)-T1-AT-DG
Opis:
MOSFET P-CH 12V 4.5A SC95
Szczegółowy opis:
P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-95
Magazyn:
12861495
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
UPA1912TE(0)-T1-AT Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Renesas Electronics Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.6 nC @ 4 V
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
810 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
200mW (Ta)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-95
Pakiet / Walizka
SC-95
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NP109N04PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
RJK5012DPE-00#J3
MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK
NP100N055PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 100A TO263
