FJ4B01120L1
Numer produktu producenta:

FJ4B01120L1

Product Overview

Producent:

Panasonic Electronic Components

Numer części:

FJ4B01120L1-DG

Opis:

MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004
Szczegółowy opis:
P-Channel 12 V 2.6A (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount ULGA004-W-1010-RA01

Magazyn:

12864610
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FJ4B01120L1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Panasonic
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
51mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 2mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.7 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
814 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
370mW (Ta)
Temperatura
-40°C ~ 85°C (TA)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
ULGA004-W-1010-RA01
Pakiet / Walizka
4-XFLGA, CSP

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
P123943CT
P123943TR
P123943DKR
Pakiet Standard
1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
KFJ4B01120L
PRODUCENT
Nuvoton Technology Corporation
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
KFJ4B01120L-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.38
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
panasonic

SK8403180L

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO

microchip-technology

VN0106N3-G

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

panasonic

FJ4B01100L1

MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004

vishay-siliconix

IRF840ASTRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK