Numer produktu producenta:
KFJ4B01120L
Product Overview
Producent:
Nuvoton Technology Corporation
Numer części:
KFJ4B01120L-DG
Opis:
MOSFET P-CH 12V
Szczegółowy opis:
P-Channel 12 V 2.6A (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount 4-CSP (1x1)
Magazyn:
12979515
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
KFJ4B01120L Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nuvoton Technology Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
51mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 2mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.7 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
814 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
370mW (Ta)
Temperatura
-40°C ~ 85°C (TA)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
4-CSP (1x1)
Pakiet / Walizka
4-XFLGA, CSP
Podstawowy numer produktu
KFJ4
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
816-KFJ4B01120LTR
816-KFJ4B01120LCT
Q14964327
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMP26M1UFG-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
DMP3165LQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
NTMFS5H600NLT1G-IRH1
T8 60V LOW COSS
