Numer produktu producenta:
NVMD6N03R2G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NVMD6N03R2G-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
12847844
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NVMD6N03R2G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
950pF @ 24V
Moc - Max
1.29W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Podstawowy numer produktu
NVMD6
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-NVMD6N03R2G-ONTR
ONSONSNVMD6N03R2G
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTLJD3183CZTAG
MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
FDG6304P
MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
FDMA1024NZ
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET