Numer produktu producenta:
FDS6912A
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDS6912A-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
6968 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12849585
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDS6912A Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.1nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
575pF @ 15V
Moc - Max
900mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Podstawowy numer produktu
FDS69
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-FDS6912A-OS
FAIFSCFDS6912A
FDS6912ATR
FDS6912ADKR
FDS6912ACT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AON7611
MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN
FW4604-TL-2W
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
AO4852
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
