Numer produktu producenta:
NTP067N65S3H
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTP067N65S3H-DG
Opis:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
369 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12950502
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTP067N65S3H Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
SuperFET® III
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 3.9mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3750 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
266W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
488-NTP067N65S3H
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
NTH4LN067N65S3H
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
361
NUMER CZĘŚCI
NTH4LN067N65S3H-DG
CENA JEDNOSTKOWA
4.45
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTBGS002N06C
POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
NTH4LN095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTMFS1D7N03CGT1G
MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO