Numer produktu producenta:
NTBGS002N06C
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTBGS002N06C-DG
Opis:
POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 30A (Ta), 211A (Tc) 3.7W (Ta), 178W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
12950503
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTBGS002N06C Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Last Time Buy
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30A (Ta), 211A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V, 12V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 45A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 225µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
62.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4620 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.7W (Ta), 178W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
488-NTBGS002N06CDKR
488-NTBGS002N06CTR
488-NTBGS002N06CCT
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTH4LN095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTMFS1D7N03CGT1G
MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
NTMFS005N10MCLT1G
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10