Numer produktu producenta:
NTMJS2D5N06CLTWG
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTMJS2D5N06CLTWG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 3.9A/113A 8LFPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 3.9A (Ta), 113A (Tc) 3.9W (Ta), 113A (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Magazyn:
12856806
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTMJS2D5N06CLTWG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.9A (Ta), 113A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 135µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.9W (Ta), 113A (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-LFPAK
Pakiet / Walizka
SOT-1205, 8-LFPAK56
Podstawowy numer produktu
NTMJS2
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
488-NTMJS2D5N06CLTWGDKR
NTMJS2D5N06CLTWG-DG
488-NTMJS2D5N06CLTWGCT
488-NTMJS2D5N06CLTWGTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
NTE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
NTLGF3402PT2G
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
