Numer produktu producenta:
NTF6P02T3G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTF6P02T3G-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Magazyn:
45559 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12856813
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTF6P02T3G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1200 pF @ 16 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
8.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223 (TO-261)
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Podstawowy numer produktu
NTF6P02
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
NTF6P02T3GOS
NTF6P02T3GOS-DG
NTF6P02T3GOSCT
NTF6P02T3GOSTR
NTF6P02T3GOSDKR
=NTF6P02T3GOSCT-DG
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
NTLGF3402PT2G
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
NTMFS5834NLT1G
MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
