Numer produktu producenta:
NTJD2152PT1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTJD2152PT1G-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 8V 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Magazyn:
12857181
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTJD2152PT1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
8V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
775mA
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 570mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
225pF @ 8V
Moc - Max
270mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-88/SC70-6/SOT-363
Podstawowy numer produktu
NTJD21
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-NTJD2152PT1G-ONTR
NTJD2152PT1GOSTR
NTJD2152PT1GOSCT
NTJD2152PT1GOS-DG
NTJD2152PT1GOS
ONSONSNTJD2152PT1G
NTJD2152PT1GOSDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
VEC2415-TL-EX
MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
NVMFD5852NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 15A 8DFN
KGF16N05D-400
MOSFET 2N-CH 5.5V 16A 20WLCSP
