Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
DR Konga
Argentyna
Turcja
Rumunia
Litwa
Norwegia
Austria
Angola
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Białoruś
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Czarnogóra
Rosyjski
Belgia
Szwecja
Serbia
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Mołdawia
Niemcy
Holandia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
Francja
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Portugalia
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Hiszpania
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
NTMFD4C85NT1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTMFD4C85NT1G-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12857239
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTMFD4C85NT1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
15.4A, 29.7A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
32nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1960pF @ 15V
Moc - Max
1.13W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
8-DFN (5x6)
Podstawowy numer produktu
NTMFD4
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
NTMFD4C85NT1GOSTR
2156-NTMFD4C85NT1G-ONTR-DG
2156-NTMFD4C85NT1G
NTMFD4C85NT1G-DG
NTMFD4C85NT1GOSCT
ONSONSNTMFD4C85NT1G
NTMFD4C85NT1GOSDKR
Pakiet Standard
1,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
BSC0921NDIATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
13276
NUMER CZĘŚCI
BSC0921NDIATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.64
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NVMFD5C462NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
UPA1764G-E1-A
MOSFET
NTHD4502NT1
MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
NTTFS5C658NLTAG
MOSFET 60V U8FL