Numer produktu producenta:
NTH4L045N065SC1
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTH4L045N065SC1-DG
Opis:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Magazyn:
484 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12964310
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTH4L045N065SC1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
55A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
15V, 18V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 8mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+22V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1870 pF @ 325 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
187W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-4L
Pakiet / Walizka
TO-247-4
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
488-NTH4L045N065SC1
488-NTH4L045N065SC1DKRINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1CT
488-NTH4L045N065SC1TR
488-NTH4L045N065SC1CTINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1DKR
488-NTH4L045N065SC1TR-DG
488-NTH4L045N065SC1CT-DG
488-NTH4L045N065SC1DKR-DG
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3K7002KF,LXHF
SMOS NCH I: 0.4A, V: 60V, P: 270
SQJA16EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SIR122LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
