Numer produktu producenta:
SCTWA60N120G2-4
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
SCTWA60N120G2-4-DG
Opis:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-247-4
Magazyn:
345 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12964340
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SCTWA60N120G2-4 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
18V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1969 pF @ 800 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
388W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-4
Pakiet / Walizka
TO-247-4
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-SCTWA60N120G2-4
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI7102DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
SSM3K62TU,LXHF
SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
SIHH26N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
