NTD4858NA-35G
Numer produktu producenta:

NTD4858NA-35G

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

NTD4858NA-35G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 11.2A (Ta), 73A (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Through Hole I-Pak

Magazyn:

12860272
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

NTD4858NA-35G Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
19.2 nC @ 4.5 V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1563 pF @ 12 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I-PAK
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Podstawowy numer produktu
NTD48

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
ONSONSNTD4858NA-35G
2156-NTD4858NA-35G-ON
Pakiet Standard
75

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
renesas-electronics-america

NP55N055SDG-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 55A TO252

renesas-electronics-america

NP36P04SDG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 36A TO252

renesas-electronics-america

NP109N055PUJ-E1B-AY

MOSFET N-CH 55V 110A TO263

renesas-electronics-america

HAT2096H-EL-E

MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK