NP109N055PUJ-E1B-AY
Numer produktu producenta:

NP109N055PUJ-E1B-AY

Product Overview

Producent:

Renesas Electronics Corporation

Numer części:

NP109N055PUJ-E1B-AY-DG

Opis:

MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Szczegółowy opis:
N-Channel 55 V 110A (Ta) 1.8W (Ta), 220W (Tc) Surface Mount TO-263

Magazyn:

12860286
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

NP109N055PUJ-E1B-AY Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Renesas Electronics Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
110A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10350 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.8W (Ta), 220W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
AUIRFS3107TRL
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3091
NUMER CZĘŚCI
AUIRFS3107TRL-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.30
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
SUM50020E-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
SUM50020E-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.18
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PHB191NQ06LT,118
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2694
NUMER CZĘŚCI
PHB191NQ06LT,118-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.18
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IPB90N06S4L04ATMA2
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1281
NUMER CZĘŚCI
IPB90N06S4L04ATMA2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.04
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
renesas-electronics-america

HAT2096H-EL-E

MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

renesas-electronics-america

HS54095TZ-E

MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3

onsemi

NTTFS010N10MCLTAG

MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN

renesas-electronics-america

NP80N055KLE-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 80A TO263