NTD4809N-35G
Numer produktu producenta:

NTD4809N-35G

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

NTD4809N-35G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak

Magazyn:

12856613
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

NTD4809N-35G Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 11.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1456 pF @ 12 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.4W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I-PAK
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Podstawowy numer produktu
NTD48

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
ONSONSNTD4809N-35G
2156-NTD4809N-35G-ON
Pakiet Standard
75

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
IPD090N03LGATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
94138
NUMER CZĘŚCI
IPD090N03LGATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.23
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

SFP9540

MOSFET P-CH 100V 17A TO220-3

onsemi

NTB110N65S3HF

MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3

onsemi

SCH1430-TL-H

MOSFET N-CH 20V 2A 6SCH

onsemi

NTMFS5C442NLT1G

MOSFET N-CH 40V 27A/130A 5DFN