Numer produktu producenta:
NTD4809N-35G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTD4809N-35G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak
Magazyn:
12856613
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTD4809N-35G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 11.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1456 pF @ 12 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.4W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I-PAK
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Podstawowy numer produktu
NTD48
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
ONSONSNTD4809N-35G
2156-NTD4809N-35G-ON
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPD090N03LGATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
94138
NUMER CZĘŚCI
IPD090N03LGATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.23
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SFP9540
MOSFET P-CH 100V 17A TO220-3
NTB110N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
SCH1430-TL-H
MOSFET N-CH 20V 2A 6SCH
