MJD50G
Numer produktu producenta:

MJD50G

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

MJD50G-DG

Opis:

TRANS NPN 400V 1A DPAK
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 10MHz 1.56 W Surface Mount DPAK

Magazyn:

1637 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12930723
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

MJD50G Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
1 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
400 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
200µA
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Moc - Max
1.56 W
Częstotliwość - Przejście
10MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Podstawowy numer produktu
MJD50

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2156-MJD50G-OS
ONSONSMJD50G
MJD50G-DG
MJD50GOS
Pakiet Standard
75

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

BDW23BTU

TRANS NPN 80V 6A TO220-3

onsemi

FJPF5027RTU

TRANS NPN 800V 3A TO220F-3

sanyo

2SC2812-6-TB-E

NPN SILICON TRANSISTOR

onsemi

2SC3117S

TRANSISTOR