2SC2812-6-TB-E
Numer produktu producenta:

2SC2812-6-TB-E

Product Overview

Producent:

Sanyo

Numer części:

2SC2812-6-TB-E-DG

Opis:

NPN SILICON TRANSISTOR
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 200 mW Surface Mount 3-CP

Magazyn:

291000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12930778
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

2SC2812-6-TB-E Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
150 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 6V
Moc - Max
200 mW
Częstotliwość - Przejście
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
3-CP

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2156-2SC2812-6-TB-E
ONSONS2SC2812-6-TB-E
Pakiet Standard
11,539

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

2SC3117S

TRANSISTOR

onsemi

MBT2222ADW1T

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

harris-corporation

2N1893

TRANS NPN 80V 0.5A TO5

onsemi

2SC3151M

POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN