FQD7P20TF
Numer produktu producenta:

FQD7P20TF

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FQD7P20TF-DG

Opis:

MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Szczegółowy opis:
P-Channel 200 V 5.7A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Magazyn:

12850104
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FQD7P20TF Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
690mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
770 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
FQD7

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
2,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
FQD7P20TM
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
39
NUMER CZĘŚCI
FQD7P20TM-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.39
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
alpha-and-omega-semiconductor

AOB12N60FDL

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

onsemi

FDG315N

MOSFET N-CH 30V 2A SC88

onsemi

FDV303N

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23

onsemi

IRF840B

MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3