Numer produktu producenta:
FDG315N
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDG315N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 2A SC88
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Magazyn:
12850111
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDG315N Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
220 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
750mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-88 (SC-70-6)
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Podstawowy numer produktu
FDG315
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2832-FDG315NTR
FDG315NCT
FDG315N-DG
FDG315NDKR
FDG315NTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
IRF840B
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
FQD6N50CTM
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
