Numer produktu producenta:
FDN5630-G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDN5630-G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Magazyn:
12972180
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDN5630-G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
560 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
488-FDN5630-GTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
OBSOLETE
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FDN5630
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5620
NUMER CZĘŚCI
FDN5630-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.09
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PJQ5444-AU_R2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD25N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD1NA60A_R2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET