Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
FDD6680AS
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDD6680AS-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 55A (Ta) 60W (Ta) Surface Mount TO-252AA
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12839050
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
K
3
V
U
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDD6680AS Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
PowerTrench®, SyncFET™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
55A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1200 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
60W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
FDD668
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
FDD6680AS
Karta danych HTML
FDD6680AS-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDD6680AS-DG
FDD6680ASFSTR
FDD6680ASFSCT
FDD6680ASFSDKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPD30N03S4L09ATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
48073
NUMER CZĘŚCI
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.31
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STD70NS04ZL
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
STD70NS04ZL-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.65
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IPD090N03LGATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
94138
NUMER CZĘŚCI
IPD090N03LGATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.23
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
FDD6690A
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
17130
NUMER CZĘŚCI
FDD6690A-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.37
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDP12N50
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
FDD86381-F085
MOSFET N-CH 80V 25A DPAK
FDB035AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
FCPF380N60E-F152
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3