FCI7N60
Numer produktu producenta:

FCI7N60

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FCI7N60-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Magazyn:

990 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12851184
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FCI7N60 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
SuperFET™
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
920 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-262 (I2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
FCI7

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FDS5672

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

onsemi

HUFA76633P3

MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3

onsemi

FDMC4435BZ

MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP

onsemi

FDS6673BZ-F085

MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC