FDS5672
Numer produktu producenta:

FDS5672

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDS5672-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Magazyn:

5013 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12851186
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FDS5672 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
FDS56

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
FDS5672-DG
FDS5672TR
2156-FDS5672-OS
FDS5672DKR
FAIFSCFDS5672
FDS5672CT
Pakiet Standard
2,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

HUFA76633P3

MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3

onsemi

FDMC4435BZ

MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP

onsemi

FDS6673BZ-F085

MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

onsemi

FDU8880

MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK