Numer produktu producenta:
BVSS138LT1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
BVSS138LT1G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Magazyn:
27685 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12850097
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BVSS138LT1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
50 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
225mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3 (TO-236)
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
BVSS138
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-BVSS138LT1G-OS
BVSS138LT1GOSCT
BVSS138LT1G-DG
BVSS138LT1GOSTR
BVSS138LT1GOSDKR
2832-BVSS138LT1G
ONSONSBVSS138LT1G
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AO3456
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
FQA9N90C
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
FQD7P20TF
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
