2PD2150,115
Numer produktu producenta:

2PD2150,115

Product Overview

Producent:

NXP Semiconductors

Numer części:

2PD2150,115-DG

Opis:

NEXPERIA 2PD2150 - POWER BIPOLAR
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 3 A 220MHz 2 W Surface Mount SOT-89

Magazyn:

8026 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12996634
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

2PD2150,115 Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
NXP Semiconductors
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
3 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
20 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 2A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
180 @ 100mA, 2V
Moc - Max
2 W
Częstotliwość - Przejście
220MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
TO-243AA
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-89

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2156-2PD2150,115-954
Pakiet Standard
3,652

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
nxp-semiconductors

PBSS5230QAZ

NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A

onsemi

2SD1830

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10

nxp-semiconductors

PBSS5612PA,115

NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN

sanyo

2SA2022

2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S