2SD1830
Numer produktu producenta:

2SD1830

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

2SD1830-DG

Opis:

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 8 A 20MHz 2 W Through Hole TO-220ML

Magazyn:

2000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12996675
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

2SD1830 Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
onsemi
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
8 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
100 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
1.5V @ 8mA, 4A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100µA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
1500 @ 4A, 3V
Moc - Max
2 W
Częstotliwość - Przejście
20MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Ocena
-
Kwalifikacja
-
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220ML

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2156-2SD1830-488
Pakiet Standard
533

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
Vendor Undefined
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
nxp-semiconductors

PBSS5612PA,115

NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN

sanyo

2SA2022

2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S

nxp-semiconductors

BSR16/DG/B4215

NEXPERIA BSR16 - SMALL SIGNAL BI

sanyo

2SC3661-TB-E

2SC3661 - NPN EPITAXIAL PLANAR S