Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
APT20M22B2VFRG
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Numer części:
APT20M22B2VFRG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
13263791
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APT20M22B2VFRG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microsemi
Opakowanie
-
Seria
POWER MOS V®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
435 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10200 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
520W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
T-MAX™ [B2]
Pakiet / Walizka
TO-247-3 Variant
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
High-Voltage Power Discretes and Modules
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
APT20M22B2VFRG-ND
150-APT20M22B2VFRG
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXTQ120N20P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXTQ120N20P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
6.73
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXFH120N20P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
188
NUMER CZĘŚCI
IXFH120N20P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
7.05
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXFR140N20P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5020
NUMER CZĘŚCI
IXFR140N20P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
11.60
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXTH130N20T
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
17
NUMER CZĘŚCI
IXTH130N20T-DG
CENA JEDNOSTKOWA
4.36
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
APT38F80L
MOSFET N-CH 800V 41A TO264
APT6038SLLG
MOSFET N-CH 600V 17A D3PAK
2N7236U
MOSFET P-CH 100V 18A TO267AB
APT20M22JVR
MOSFET N-CH 200V 97A ISOTOP