Numer produktu producenta:
IXFH120N20P
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFH120N20P-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 714W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Magazyn:
188 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12818948
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFH120N20P Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Polar
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
714W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD (IXFH)
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IXFH120
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTP180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
IXTP5N60P
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
IXTH90N15T
MOSFET N-CH 150V 90A TO247