Numer produktu producenta:
2N6768
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Numer części:
2N6768-DG
Opis:
MOSFET N-CH 400V 14A TO3
Szczegółowy opis:
N-Channel 400 V 14A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Magazyn:
13256621
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2N6768 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
400 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
14A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
4W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3
Pakiet / Walizka
TO-204AE
Podstawowy numer produktu
2N6768
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
150-2N6768
2N6768-ND
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
APT20M18LVFRG
MOSFET N-CH 200V 100A TO264
APT20M45BVRG
MOSFET N-CH 200V 56A TO247
APT1001RBVRG
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247
