Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
APT50M80B2VRG
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Numer części:
APT50M80B2VRG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 58A (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
13256792
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APT50M80B2VRG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microsemi
Opakowanie
-
Seria
POWER MOS V®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
58A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
423 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8797 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
T-MAX™ [B2]
Pakiet / Walizka
TO-247-3 Variant
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
APT50M80B2VRG-ND
150-APT50M80B2VRG
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFX78N50P3
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXFX78N50P3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
8.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXFX64N50Q3
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
10
NUMER CZĘŚCI
IXFX64N50Q3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
17.41
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXFK64N50Q3
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
23
NUMER CZĘŚCI
IXFK64N50Q3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
17.55
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXFR64N50P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
30
NUMER CZĘŚCI
IXFR64N50P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
12.71
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXFX64N50P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
11
NUMER CZĘŚCI
IXFX64N50P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
11.29
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
APT10M11B2VFRG
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
JANSF2N7383
P CHANNEL MOSFET TO-257
APT17F100S
MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
APT60M80JVR
MOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP