Numer produktu producenta:
TP0606N3-G-P003
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
TP0606N3-G-P003-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 320mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Magazyn:
12807732
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TP0606N3-G-P003 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
320mA (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92-3
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Podstawowy numer produktu
TP0606
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SPB100N08S2-07
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
SIPC26N80C3
MOSFET COOL MOS 600V SAWED WAFER
SPD18P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
