Numer produktu producenta:
SPD18P06PGBTMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
SPD18P06PGBTMA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Magazyn:
8345 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12807739
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SPD18P06PGBTMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
SIPMOS®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
80W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
SPD18P06
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SPD18P06P G
SPD18P06P G-DG
SPD18P06P GTR-DG
SPD18P06P GCT-DG
SPD18P06P GDKR-DG
SPD18P06PGBTMA1DKR
SPD18P06P GDKR
SPD18P06PGBTMA1CT
SPD18P06P GCT
SPD18P06PG
SPD18P06PGBTMA1TR
SP000443926
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SPP15N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
IRLR024ZPBF
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
IRLI2203N
MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP