Numer produktu producenta:
LND150N3-G-P014
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
LND150N3-G-P014-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Magazyn:
1940 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12818420
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
LND150N3-G-P014 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tape & Box (TB)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30mA (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
0V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10 pF @ 25 V
Funkcja FET
Depletion Mode
Rozpraszanie mocy (maks.)
740mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92-3
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Podstawowy numer produktu
LND150
Karta katalogowa i dokumenty
Montaż/pochodzenie PCN
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
LND150N3-G-P014-DG
150-LND150N3-G-P014TB
150-LND150N3-G-P014CT
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
VP2110K1-G
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
IRFR7546PBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
IRL1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
