Numer produktu producenta:
VP2110K1-G
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
VP2110K1-G-DG
Opis:
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Szczegółowy opis:
P-Channel 100 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Magazyn:
12199 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12818423
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
VP2110K1-G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120mA (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-236AB (SOT23)
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
VP2110
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Projekt/specyfikacja PCN
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
VP2110K1-G-DG
VP2110K1-GCT
VP2110K1-GTR
VP2110K1-GDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR7546PBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
IRL1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IRFB4127PBF
MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB