Numer produktu producenta:
APT58M80J
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
APT58M80J-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 60A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Magazyn:
2 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13248223
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APT58M80J Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
17550 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
960W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227
Pakiet / Walizka
SOT-227-4, miniBLOC
Podstawowy numer produktu
APT58M80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
APT58M80JMI-ND
APT58M80JMI
Pakiet Standard
10
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFN62N80Q3
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
8
NUMER CZĘŚCI
IXFN62N80Q3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
44.05
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXFN48N60P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
20
NUMER CZĘŚCI
IXFN48N60P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
18.51
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
APT50M65B2FLLG
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
APT6040BNG
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
APT12057B2LLG
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
