Numer produktu producenta:
APT6040BNG
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Numer części:
APT6040BNG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
Magazyn:
13248479
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APT6040BNG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microsemi
Opakowanie
-
Seria
POWER MOS IV®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2950 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
310W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
APT6040BNG-ND
150-APT6040BNG
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
APT12057B2LLG
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
APT10035LLLG
MOSFET N-CH 1000V 28A TO264
APT10M11JVRU2
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
