Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
APT34F100B2
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
APT34F100B2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
Szczegółowy opis:
N-Channel 1000 V 35A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
13248031
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APT34F100B2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tube
Seria
POWER MOS 8™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
35A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
380mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9835 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1135W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
T-MAX™ [B2]
Pakiet / Walizka
TO-247-3 Variant
Podstawowy numer produktu
APT34F100
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
APT34F100(B2,L)
High-Voltage Power Discretes and Modules
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STW22N95K5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
590
NUMER CZĘŚCI
STW22N95K5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.77
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
APT5020SVRG
MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK
APT7M120S
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
APT5010JVRU3
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
APT58M80J
MOSFET N-CH 800V 60A SOT227