Numer produktu producenta:
APT1201R2BLLG
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
APT1201R2BLLG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247-3
Magazyn:
16 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12939318
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APT1201R2BLLG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tube
Seria
POWER MOS 7®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3100 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
400W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
APT1201
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
150-APT1201R2BLLG
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
APT4F120S
MOSFET N-CH 1200V 4A D3PAK
IRF840PBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
SUD23N06-31-BE3
MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK