Numer produktu producenta:
APT4F120S
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
APT4F120S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1200V 4A D3PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 4A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount D3PAK
Magazyn:
128 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12939320
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APT4F120S Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tube
Seria
POWER MOS 8™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1385 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
175W (Tc)
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
D3Pak
Pakiet / Walizka
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Podstawowy numer produktu
APT4F120
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
150-APT4F120S
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF840PBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
SUD23N06-31-BE3
MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
APT9M100S
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK