Numer produktu producenta:
IXFX55N50F
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFX55N50F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 55A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Magazyn:
12864578
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFX55N50F Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
-
Seria
HiPerRF™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
55A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6700 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
560W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS247™-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3 Variant
Podstawowy numer produktu
IXFX55
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IXFX55N50F-NDR
Q1649656
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF520PBF
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
IRF9Z30
MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
FJ4B01120L1
MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004
