Numer produktu producenta:
IXFT150N17T2
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFT150N17T2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 175V 150A TO268HV
Szczegółowy opis:
N-Channel 175 V 150A (Tc) 880W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Magazyn:
12819363
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFT150N17T2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, TrenchT2™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
175 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
150A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
14600 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
880W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268HV (IXFT)
Pakiet / Walizka
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Podstawowy numer produktu
IXFT150
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFT42N50P2
MOSFET N-CH 500V 42A TO268
IXFX100N65X2
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
IXTA160N04T2
MOSFET N-CH 40V 160A TO263
