Numer produktu producenta:
IXFX100N65X2
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFX100N65X2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 100A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Magazyn:
12819367
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFX100N65X2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Ultra X2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1040W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS247™-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3 Variant
Podstawowy numer produktu
IXFX100
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IXFX100N65X2X-DG
IXFX100N65X2XINACTIVE
IXFX100N65X2X
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SCT3022ALGC11
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1695
NUMER CZĘŚCI
SCT3022ALGC11-DG
CENA JEDNOSTKOWA
36.29
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTA160N04T2
MOSFET N-CH 40V 160A TO263
IXFP14N85XM
MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220
IXFR90N20Q
MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247
