Numer produktu producenta:
IXFP4N100Q
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFP4N100Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 1000 V 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
261 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12819710
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFP4N100Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Q Class
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1050 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IXFP4N100
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFP5N100P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
41
NUMER CZĘŚCI
IXFP5N100P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.41
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STP5NK100Z
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3779
NUMER CZĘŚCI
STP5NK100Z-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.69
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFK120N25
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
IXTP12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
IXTP15N20T
MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
