Numer produktu producenta:
IXFP5N100P
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFP5N100P-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 1000 V 5A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
41 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12906599
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFP5N100P Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Polar
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1830 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IXFP5N100
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
-IXFP5N100P
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF730S
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
IRLI530G
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
IRFL9014
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
