Numer produktu producenta:
IXFK32N100P
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFK32N100P-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
Szczegółowy opis:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Magazyn:
12822242
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFK32N100P Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Polar
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
32A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
320mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
14200 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
960W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-264AA (IXFK)
Pakiet / Walizka
TO-264-3, TO-264AA
Podstawowy numer produktu
IXFK32
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
25
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTA1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
IXFK90N20Q
MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA
IXTC200N10T
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220