Numer produktu producenta:
IXTB62N50L
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXTB62N50L-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 62A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™
Magazyn:
12822259
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXTB62N50L Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
Linear
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
62A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
20V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 31A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
550 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
11500 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
800W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS264™
Pakiet / Walizka
TO-264-3, TO-264AA
Podstawowy numer produktu
IXTB62
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
25
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PHD18NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
IXTH72N20
MOSFET N-CH 200V 72A TO247
IXFN32N120
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
