Numer produktu producenta:
SPB11N60C3ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
SPB11N60C3ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Magazyn:
2703 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12806600
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SPB11N60C3ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
SPB11N60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SPB11N60C3
SPB11N60C3ATMA1TR
SPB11N60C3INDKR
SPB11N60C3XTINTR-DG
SPB11N60C3XTINTR
SPB11N60C3ATMA1DKR
SPB11N60C3INDKR-DG
SPB11N60C3XT
SPB11N60C3INCT-NDR
SPB11N60C3INCT
SPB11N60C3INTR
SPB11N60C3XTINCT-DG
SPB11N60C3INTR-NDR
SPB11N60C3ATMA1CT
SP000013519
SPB11N60C3INCT-DG
SPB11N60C3XTINCT
SPB11N60C3INTR-DG
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXTA14N60P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
235
NUMER CZĘŚCI
IXTA14N60P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.12
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
R6011ENJTL
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
R6011ENJTL-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.56
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STB13NM60N
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1000
NUMER CZĘŚCI
STB13NM60N-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.21
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
FCB11N60TM
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
135
NUMER CZĘŚCI
FCB11N60TM-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.43
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STB13N60M2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2210
NUMER CZĘŚCI
STB13N60M2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.86
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRL3714Z
MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
IRF630NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
SPP08N80C3XK
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
