SPP08N80C3XK
Numer produktu producenta:

SPP08N80C3XK

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

SPP08N80C3XK-DG

Opis:

MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Magazyn:

12806604
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SPP08N80C3XK Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 470µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
SPP08N

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
SP000013704
Pakiet Standard
1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
SPP08N80C3XKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1997
NUMER CZĘŚCI
SPP08N80C3XKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.00
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
infineon-technologies

SPD04N60C3

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3

microchip-technology

VP0550N3-G-P013

MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3

infineon-technologies

IRL3714ZS

MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

infineon-technologies

IRLR2705TRRPBF

MOSFET N-CH 55V 28A DPAK