ISC036N04NM5ATMA1
Numer produktu producenta:

ISC036N04NM5ATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

ISC036N04NM5ATMA1-DG

Opis:

40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 21A (Ta), 98A (Tc) 3W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Magazyn:

4498 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12993600
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

ISC036N04NM5ATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™-5
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
21A (Ta), 98A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
7V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 49A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 23µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2000 pF @ 20 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8 FL
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
ISC036N

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
SP005399111
448-ISC036N04NM5ATMA1CT
448-ISC036N04NM5ATMA1TR
448-ISC036N04NM5ATMA1DKR
Pakiet Standard
5,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
stmicroelectronics

STB30N65DM6AG

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V